TRANSISTOR IRFBE30PBF N-CHANNEL MOSFET 800V 4.1A TO220
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Descrição Geral
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Categoria de produto: MOSFET
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Número de canais: 1 Channel
Polaridade do transistor: N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Configuração: Single
Tempo de queda: 30 ns
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Tempo de ascensão: 33 ns
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 12 ns
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