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TRANSISTOR IRF640NPBF MOSFET CANAL N 19A 200V TO220 FQP19N20C I.R

Marca: I.R Referência: 938

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Descrição Geral

Transistor IRF640N

MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V

Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 20 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 18 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 150 mOhms

Qg - Carga na porta: 44.7 nC

Temperatura operacional máxima: + 175 C

Pd - Dissipação de potência: 150 W

Tempo de queda: 5.5 ns

Transcondutância em avanço - Mín: 6.8 S

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Tempo de ascensão: 19 ns

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