TRANSISTOR 2N6511 TO3 BIPOLAR DE JUNÇAO BJT NPN
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Descrição Geral
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Type Designator: 2N6511
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 120 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 300 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 250 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C
Transition Frequency (ft): 3 MHz
Collector Capacitance (Cc): 200 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10
Noise Figure, dB: -
Package: TO3
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