TRANSISTOR 2N6470 TO3 BIPOLAR DE JUNÇAO BJT MOSPEC
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TRANSISTOR
Modelo: 2N6470
Encapsulamento: TO3
Tipo: BIPOLAR DE JUNÇAO BJT
Type Designator: 2N6470
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 125 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 40 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C
Transition Frequency (ft): 5 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 25
Noise Figure, dB: -
Package: TO3
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